| 型号：SIS438DN-T1-GE3 | 类别：FET - 单 | 制造商：Vishay Siliconix |
| 封装：PowerPAK? 1212-8 | 描述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 |
| 系列 | TrenchFET® |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 20V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 16A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 9.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 23nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 880pF @ 10V |
| 功率_最大 | 27.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK? 1212-8 |
| 供应商设备封装 | PowerPAK? 1212-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 周19166203057 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 北京元坤国际科技有限公司 | 何小姐086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市富乐亚科技有限公司 | 郑小姐0755-18503085056 |
| 深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
| 深圳市春东电子有限公司 | 朱先生/王小姐0755-82563615/82563213 |
| 深圳市格雷迪电子有限公司 | 林先生15914072177 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
| 深圳市科恒伟业电子有限公司 | 李小姐086-0755-82569753-32922817-36561078-801 |
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2312（6032 公制）
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PowerPAK? 1212-8
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
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径向
CAP CER 10000PF 100V 5% RADIAL
- TAJC336M010SNJ
钽
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2312（6032 公制）
CAP TANT 33UF 10V 20% 2312
- TDA10H0SB1R
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16-DIP（0.300＂，7.62mm）
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INDUCTOR POWER 1.0UH 4.8A SMD
- TNPW040228K0BETD
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
0402（1005 公制）
RES 28.0K OHM 1/16W 0.1% 0402
- SIS410DN-T1-GE3
FET - 单
Vishay Siliconix
PowerPAK? 1212-8
MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8
- TA810PW82R0JE
通孔电阻器
Ohmite
径向
RES THICK FILM POWER 82 OHM 10W
- SR651A103JAT
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2312（6032 公制）
CAP TANT 330UF 6.3V 10% 2312
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DIP
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16-DIP（0.300＂，7.62mm）
SWITCH DIP 10POS HALF PITCH
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固定式
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- TNPW040229K4BEED
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Vishay Dale
0402（1005 公制）
RES 29.4K OHM 1/16W 0.1% 0402
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- TAJC337M006RNJ
钽
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2312（6032 公制）
CAP TANT 330UF 6.3V 20% 2312
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- TNPW04022K05BEED
芯片电阻 - 表面安装
Vishay Dale
0402（1005 公制）
RES 2.05K OHM 1/16W 0.1% 0402
- SR651E105MARTR1
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径向
CAP CER 1UF 100V 20% RADIAL
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钽
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RES 2.10K OHM 1/16W 0.1% 0402
- TAJC475K020H
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2312（6032 公制）
CAP TANT 4.7UF 20V 10% 2312
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CAP CER 0.022UF 200V 10% RADIAL
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